IRF5410 P – channel MOSFET 100V 13A
IRF5410 kênh P là thế hệ thứ 5 HEXFET từ International Rectifier đã áp dụng những công nghệ tiên tiến cho việc chế tạo có trở khác mở ( on resistance) trên mỗi vùng bán rất vô cùng nhỏ (0.205Ω), chịu áp tối đa VDSS = -100V, dòng ID = -13A kết hợp với tần số đóng cắt nhanh và được thiết kế với kỹ thuật HEXFET Power MOSFET để đạt hiệu suất cao nhất và đáng tin cậy sử dụng cho nhiều ứng dụng khác nhau.
IRF5410 được thiết kế và đóng vỏ dưới 2 dạng chân dán TO-252AA (IRFR5410) và chân thẳng TO-251AA (IRFU5410) có thể hàn dán hay cắm vào PCB ở nhiệt độ hàn 300 độ C trong 10 giây. Bảng dướ trình bày một vài thông số cơ bản IRF540
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.